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富士通研144Gbps光通信选择器电路
作者:佚名    文章来源:不详    点击数:1034    更新时间:2007-5-18
>   富士通研究所日前使用InP-HEMT技术,成功地开发出了在数字电路中全球最快的144Gbit/秒选择器电路(见图1)和100Gbit/秒4对1多路复用器。据称使用此次开发的技术,可以实现速度超过100Gbit/秒的高速通信芯片。此次开发的技术概要如下:

  

   图1:选择器电路。芯片示意图照片

  (1)时钟延迟电路技术:根据因电路种类而异的迟延时间的差异性,开发出了高精度时钟延迟电路。该电路的结构与数据处理电路完全相同,由多个电路部件构成,能够以相对于数据间隙(10ps)10%以内的精度校准数据与时钟信号之间的时序。

  

   图2:Y型栅极剖面照片

  (2)Y型InP-HEMT技术:通过采用Y型(见图2)栅电极剖面结构,与过去的T型结构相比将机械强度提高到了约10倍,能够高精度、大规模地集成栅长0.1μm的晶体管。

  该公司表示,今后希望利用这些技术,不断地开发多路复用器和多路分配器等高性能、高集成度电路,并进一步提高开发速度、推动Tbps级通信系统的开发。

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